再通过氧等离子体对光刻胶进行灰化处理，清除光刻胶。这样就完成了第一层设计好的电路图案。
对于3D FinFET设计的晶体管，还需要重复前面的几个步骤，以获得3D晶体管。
然后在特定的区域，导入特定杂质，杂质扩散能控制导电类型（P结、N结）之外，还能控制杂质浓度以及分布。目前主要是用离子注入法来完成杂质扩散，也是超大规模集成电路中不可缺少的工艺。
这时可以清除掉残留下来的光刻胶掩模，经过离子注入单晶硅内部小部分硅原子已经被替换成“杂质”元素，就能产生可自由电子或空穴。
至此，基本完成晶体管雏形，接下来需要在在硅晶圆表面全面地沉积氧化硅膜，形成绝缘层，并且需要在层间绝缘膜上开孔，这样能引出导体电极。
接下来需要在晶圆表面上沉积铜层，形成场效应管的源极、漏极、栅极，再在晶圆表面沉积一层绝缘层以能保护晶体管。
经过这些复杂的过程，晶体管算是制作完成，后面需要做的就是把这些晶体管连接起来，通过覆盖铜层、光刻掩模、蚀刻开孔等操作来实现，期间还要利用大马士革法新的布线方式完成多层Cu立体化布线。
到了这一步，芯片电路基本完成，这中间需要几百道不同精累化工艺加工，任何错误都会导致晶圆报废。
在完成了芯片电路后，到成品销售，还需要很多后工程，包括晶圆测试、切片、外观检查、装片、封装，到此一颗真正的CPU就生产出来了。
以上就是小编为大家介绍的cpu的制造过程，估计很多人都和小编一样对cpu这个东西是既熟悉又陌生，对于cpu也是充满了各种好奇吧。
